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描述:OLED光電性能測(cè)量系統(tǒng),我公司推出OLED器件、有機(jī)太陽(yáng)能電池OPV、鈣鈦礦太陽(yáng)能電池、鈣鈦礦LED及其他有機(jī)半導(dǎo)體器件和無(wú)機(jī)半導(dǎo)體光電性能測(cè)量系統(tǒng)(載流子遷移率測(cè)量系統(tǒng))、電學(xué)性能評(píng)估系統(tǒng)、發(fā)射角度光譜分析系統(tǒng)以及相關(guān)器件的軟件模擬研發(fā)系統(tǒng),為廣大科研工作者和研發(fā)機(jī)構(gòu)提供了有效的測(cè)試工具。
品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
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產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子 |
OLED光電性能測(cè)量系統(tǒng)
-整合了DC,AC and Transient mode
用于太陽(yáng)能電池/OLED器件載流子特性測(cè)量與分析,通過(guò)對(duì)器件的變光強(qiáng)J-V曲線、瞬態(tài)光電流譜TPC,瞬態(tài)光電壓譜TPV、線性增壓載流子抽取Photo-CELIV、強(qiáng)度調(diào)制光電流譜IMPS、強(qiáng)度調(diào)制光電壓譜IMVS、阻抗譜IS、電容電壓譜CV、深能級(jí)瞬態(tài)譜DLTS等進(jìn)行測(cè)量分析,表征器件的載流子遷移率、載流子壽命和濃度、載流子動(dòng)力學(xué)過(guò)程、摻雜和陷阱分布等性能參數(shù),從而對(duì)太陽(yáng)能電池/OLED器件和其他有機(jī)半導(dǎo)體中的載流子遷移率進(jìn)行有效的分析和測(cè)量。
主要應(yīng)用:
* 無(wú)機(jī)半導(dǎo)體光電器件,有機(jī)半導(dǎo)體光電器件;
* 有機(jī)太陽(yáng)能電池OPV;
* 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池Perovskite Solar Cell,鈣鈦礦LED;
* 無(wú)機(jī)太陽(yáng)能電池(例如:?jiǎn)尉Ч琛⒍嗑Ч?、非晶硅等硅基太?yáng)能電池);
* 染料敏化太陽(yáng)能電池DSSC;
OLED光電性能測(cè)量系統(tǒng)
主要測(cè)量功能:
* 點(diǎn)亮電壓(電流電壓照度特性 I-V-L)
* 發(fā)光壽命,載流子遷移率(瞬態(tài)電致發(fā)光法 TEL)
* OLED/鈣鈦礦LED發(fā)光特性測(cè)量;
* 載流子密度,載流子動(dòng)力學(xué)過(guò)程(瞬態(tài)光電流法 TPC)
* 載流子壽命,載流子符合動(dòng)力學(xué)過(guò)程(瞬態(tài)光電壓/瞬態(tài)開(kāi)路電壓法 TPV)
* 載流子遷移率(暗注入瞬態(tài)法 DIT,單載流子器件&OLED)
* 串聯(lián)電阻,幾何電容,RC時(shí)間(電壓脈沖法 Pulse Voltage)
* 參雜密度,電容率,串聯(lián)電阻,載流子遷移率(暗態(tài)線性增加載流子瞬態(tài)法 Dark-CELIV)
* 載流子遷移率,載流子密度(光照線性增加載流子瞬態(tài)法 Photo-CELIV)
* 載流子復(fù)合過(guò)程,朗之萬(wàn)函數(shù)復(fù)合前因子(時(shí)間延遲線性增加載流子瞬態(tài)法 Delaytime-CELIV)
* 不同工作點(diǎn)的載流子強(qiáng)度,載流子遷移率(注入線性增加載流子瞬態(tài)法 Injection-CELIV)
* 幾何電容,電容率(MIS線性增加載流子瞬態(tài)法 MIS-CELIV)
* 陷阱強(qiáng)弱度,等效電路(阻抗譜測(cè)試 IS)
* 遷移率,陷阱強(qiáng)弱度,電容,串聯(lián)電阻(電容VS頻率 C-f)
* 內(nèi)建電壓,參雜濃度,注入勢(shì)壘,幾何電容(電容VS電壓 C-V)
測(cè)量技術(shù):
1)IV/IVL特性:IV和IVL曲線是針對(duì)OLED和OPV標(biāo)準(zhǔn)的量測(cè)手法,通過(guò)曲線可以得到樣品的電流電壓特性關(guān)系、電流電壓與光強(qiáng)的特性關(guān)系;
*對(duì)于有機(jī)半導(dǎo)體材料可通過(guò)空間電荷限制電流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和遷移率等;|
2)瞬態(tài)光電流響應(yīng)法(Transient Photocurrent ):研究載流子動(dòng)力學(xué)過(guò)程和載流子密度等;
3)瞬態(tài)光電壓(Transient Photovoltage):研究載流子壽命和復(fù)合過(guò)程;
4) 雙脈沖瞬態(tài)光電流(Double Transient Photocurrent):分析電荷載流子俘獲動(dòng)態(tài)過(guò)程;
5) 暗注入瞬態(tài)法(Dark Injection):對(duì)于單載流子器件和OLED,研究其載流子遷移率;
6) 電壓脈沖法(Voltage Pulse):串聯(lián)電阻、幾何電容和RC效應(yīng)分析;
7) 暗態(tài)線性增壓載流子瞬態(tài)法(Dark-CELIV):參雜濃度、相對(duì)介電常數(shù)、串聯(lián)電阻、電荷載流子遷移率測(cè)量;
8) 光照線性增壓載流子瞬態(tài)法(Photo-CELIV):提取有機(jī)太陽(yáng)能電池片內(nèi)載流子遷移率mobility ,以及載流子濃度分析等;
9) 時(shí)間延遲線性增壓載流子瞬態(tài)法(Delaytime-CELIV):復(fù)合動(dòng)態(tài)過(guò)程分析和郎之萬(wàn)復(fù)合因子分析等;
10)注入線性增壓載流子瞬態(tài)法(Injection-CELIV):電荷載流子濃度和電荷載流子遷移率測(cè)量分析;
11)MIS-CELIV:幾何電容和相對(duì)介電常數(shù)分析;
12)阻抗譜測(cè)量(Impedance Spectroscopy):器件等效電路分析等;
13)電容頻率測(cè)量法(C-f): 遷移率、陷阱、幾何電容和串聯(lián)電阻測(cè)量;
14)電容電壓測(cè)量法(C-V):內(nèi)建電壓、參雜濃度和幾何電容等測(cè)量;
15)瞬態(tài)電致發(fā)光測(cè)試(Transient Electroluminescence):抽取OLED器件的載流子,磷光壽命測(cè)量;
太陽(yáng)能電池和OLED測(cè)試示意圖
測(cè)量功能
技術(shù)規(guī)格
• 采樣率:60MS/s
• 時(shí)間分辨率:16ns
• 頻率范圍:10mHz to 10MHz
• 電流分辨率:≤10pA
• LED上升時(shí)間:100ns
• 電流范圍:100mA
• 電壓范圍:±12V
可選功能
• Solar Cell Version or/and OLED Version
• Multi-LED模塊:360nm~1100nm for EQE
• 變溫測(cè)試臺(tái):-120 °C to 150 °C(多種可選)
• 光譜儀:OLED器件發(fā)光光譜測(cè)量
• SUM擴(kuò)展模塊: 電壓±60V,電流分辨1pA
應(yīng)用領(lǐng)域
• 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池PSCs
• 有機(jī)、量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池
• 染料敏化電池DSSC
• 疊層太陽(yáng)能電池
• CIGS, CdTe, CZTS太陽(yáng)能電池
• 鈣鈦礦和量子點(diǎn)LED器件
• 有機(jī)發(fā)光器件OLED
• MIS器件和LECs