描述:鋰離子電池電極應(yīng)力測量系統(tǒng)采用多光束光學(xué)傳感器系統(tǒng)(kSA MOS)原位實(shí)時(shí)應(yīng)力測量分析,可研究鋰離子電池反應(yīng)動(dòng)力學(xué)過程中或在正常使用過程中內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力,對其電化學(xué)性能的影響;即就是在充放電過程中鋰離子電池外殼表面的應(yīng)力變化,得到了充放電循環(huán)中鋰離子電池電極表面的應(yīng)力大小與電荷狀態(tài)的關(guān)系;進(jìn)而分析充放電過程中應(yīng)力變化的異同,即產(chǎn)生不可逆應(yīng)力,充放電曲線不重合。
品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
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產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,地礦,能源,電子 |
鋰離子電池電極應(yīng)力測量系統(tǒng)采用非接觸激光MOS技術(shù);不但可以對樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析,而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析;客戶可自行定義選擇使用任意一個(gè)或者一組激光點(diǎn)進(jìn)行測量;并且這種設(shè)計(jì)始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)始終在同一頻率運(yùn)動(dòng)或掃描,從而有效的避免了外界振動(dòng)對測試結(jié)果的影響;同時(shí)提高測試的分辨率;適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析;
原位薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng)kSA MOS Film Stress Measurement System,又名原位薄膜應(yīng)力計(jì)或原位薄膜應(yīng)力儀!
采用非接觸激光MOS技術(shù);不但可以對樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析,而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析;客戶可自行定義選擇使用任意一個(gè)或者一組激光點(diǎn)進(jìn)行測量;并且這種設(shè)計(jì)始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)始終在同一頻率運(yùn)動(dòng)或掃描,從而有效的避免了外界振動(dòng)對測試結(jié)果的影響;同時(shí)提高了測試的分辨率;適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析;
典型用戶:Harvard University 2套,Stanford University,Johns Hopkins University,Brown University 2套,Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute,西安交通大學(xué),中國計(jì)量科學(xué)院等、半導(dǎo)體和微電子制造商(如IBM.,Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC,Nissan ARC,Nichia Glass Corporation)等;
相關(guān)產(chǎn)品:
*實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力儀(kSA MOS Film Stress Tester):同樣采用多光束MOS技術(shù),可裝在各種真空沉積設(shè)備上(如:MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects),對于薄膜生長過程中的應(yīng)力變化進(jìn)行實(shí)時(shí)原位測量和二維成像分析;
*薄膜熱應(yīng)力測量系統(tǒng)(kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester)
*薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng)(kSA MOS Film Stress Measurement System)
設(shè)備名稱:
kSA MOS Film Stress Tester, kSA MOS Film Stress Measurement System,kSA MOS Film Stress Mapping System;
主要特點(diǎn):
1.MOS多光束傳感器技術(shù);
2.單Port(樣品正上方)和雙Port(對稱窗口)系統(tǒng)設(shè)計(jì);
3.適合MOCVD, MBE, Sputter,PLD、蒸収系統(tǒng)等各種真空薄膜沉積系統(tǒng)以及熱處理設(shè)備等;
4.薄膜應(yīng)力各向異性測試和分析功能;
5.生長速率和薄膜厚度測量;(選件)
6.光學(xué)常數(shù)n&k 測量;(選件)
7.多基片測量功能;(選件)
8.基片旋轉(zhuǎn)追蹤測量功能;(選件)
9.實(shí)時(shí)光學(xué)反饋控制技術(shù),系統(tǒng)安裝時(shí)可設(shè)置多個(gè)測試點(diǎn);
10.免除了測量丌受真空系統(tǒng)振動(dòng)影響;
測試功能:
1.實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力測量
2.實(shí)時(shí)原位薄膜曲率測量
3.實(shí)時(shí)原位應(yīng)力*薄膜厚度曲線測量
4.實(shí)時(shí)原位薄膜生長全過程應(yīng)力監(jiān)控等
充放電過程
動(dòng)力學(xué)循環(huán)過程