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薄膜熱應(yīng)力測量系統(tǒng)
已經(jīng)廣泛被著名高等學(xué)府(如:Harvard University 2套,Stanford University,Johns Hopkins University,Brown University 2套,Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute,西安交通大學(xué),中國計(jì)量科學(xué)研究院,中科院微系統(tǒng)研究所,上海光機(jī)所等)、半導(dǎo)體和微電子制造商(如IBM.,Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC,Nissan ARC,Nichia Glass Corporation)等所采用;
薄膜熱應(yīng)力測量系統(tǒng)
同類設(shè)備:
薄膜應(yīng)力測試儀(kSA MOS 薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng),薄膜應(yīng)力計(jì));
薄膜殘余應(yīng)力測試儀;
實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力儀(kSA MOS);
技術(shù)參數(shù):
kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester, kSA MOS Film Stress Measurement System,kSA MOS Film Stress Mapping System;
1.變溫設(shè)計(jì):采用真空和低壓氣體保護(hù),溫度范圍RT~1000°C;
2.曲率分辨率:100km;
3.XY雙向程序控制掃描平臺(tái)掃描范圍:up to 300mm(可選);
4.XY雙向掃描速度:up to 20mm/s;
5.XY雙向掃描平臺(tái)掃描步進(jìn)/分辨率:2 μm ;
6.樣品holder兼容:50mm, 75mm, 100mm, 150mm, 200mm, and 300mm直徑樣品;
7.程序化控制掃描模式:選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全樣品掃描;
8.成像功能:樣品表面2D曲率、應(yīng)力成像,及3D成像分析;
9.測量功能:曲率、曲率半徑、應(yīng)力強(qiáng)度、應(yīng)力、Bow和翹曲等;
10.溫度均勻度:優(yōu)于±2攝氏度;
主要特點(diǎn):
1.技術(shù):MOS多光束技術(shù)(二維激光陣列);
2.變溫設(shè)計(jì):采用真空和低壓氣體保護(hù),溫度范圍RT~1000°C;
3.樣品快速熱處理功能;
4.樣品快速冷卻處理功能;
5.溫度閉環(huán)控制功能,保證溫度均勻性和精度;
6.實(shí)時(shí)應(yīng)力VS.溫度曲線;
7.實(shí)時(shí)曲率VS.溫度曲線;
8.程序化控制掃描模式:選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全樣品掃描;
9.成像功能:樣品表面2D曲率成像,定量薄膜應(yīng)力成像分析;
10.測量功能:曲率、曲率半徑、薄膜應(yīng)力、薄膜應(yīng)力分布和翹曲等;
11.氣體(氮?dú)?、氬氣和氧氣等)Delivery系統(tǒng);
測試結(jié)果
玻璃上鍍SiN應(yīng)力測試結(jié)果80°C
玻璃上鍍SiN應(yīng)力測試結(jié)果350°C
玻璃上鍍SiN曲率測試結(jié)果80°C
玻璃上鍍SiN曲率測試結(jié)果350°C
同類設(shè)備
• 薄膜應(yīng)力測試儀(kSA MOS 薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng),薄膜應(yīng)力計(jì))
• 薄膜殘余應(yīng)力測試儀
• 實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力儀(kSA MOS)
• kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester
• kSA MOS Film Stress Measurement System
• kSA MOS Film Stress Mapping System