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瞬態(tài)&穩(wěn)態(tài)耦合光學(xué)法測定TADF材料中的非輻射衰減率(2)

 更新時間:2022-08-04 點擊量:1837

熱激活延遲熒光(TADF)材料作為有機發(fā)光二極管(OLED)發(fā)射層是具有很大前景的材料,其主要優(yōu)點是通過將非輻射三重態(tài)轉(zhuǎn)換為輻射單重態(tài),使OLED的內(nèi)量子效率達到*。除了具有系統(tǒng)間反向交叉率高(控制三重態(tài)轉(zhuǎn)換)的重要性外,最小化非輻射衰變過程對于實現(xiàn)高效率也非常重要。在這項研究中,我們提供了一種新方法,不僅可以量化TADF過程中涉及的最重要衰減率,還可以從瞬態(tài)和穩(wěn)態(tài)實驗光學(xué)數(shù)據(jù)中分別量化單重態(tài)和三重態(tài)的非輻射衰減率。此外,還研究了兩種非輻射衰變方式對內(nèi)量子效率的不同貢獻。最后,將該方法應(yīng)用于兩種TADF材料的實驗數(shù)據(jù)。

主要內(nèi)容

ELQY/PLQYs 對 knrad,s/t 和種群的依賴性

在本節(jié)中,我們將分析 PLQY 和 ELQY 與 knrs 和 knrt的依賴關(guān)系。分析的關(guān)鍵點是,非輻射衰變事件的速率定義為速率常數(shù)與總體之間的乘積,分別為 knrs 或 knrt。在 TADF OLEDs 中,三重態(tài)的數(shù)量通常比單重態(tài)的數(shù)量大得多,因此,相對于 knrs,knrt 會產(chǎn)生更多的非輻射衰變事件。此外,正如我們已經(jīng)看到的,在光學(xué)和電激發(fā)情況下的穩(wěn)態(tài)種群是不同的,因此非輻射衰變事件的數(shù)量也會發(fā)生變化。換句話說,通過光激發(fā)對發(fā)光量子產(chǎn)率的主流分析得出的結(jié)論可能會產(chǎn)生誤導(dǎo),并且 OLED 顯示器和照明應(yīng)用中存在的電激發(fā)將受到非輻射衰減率的實際值的更大影響。

 

本節(jié)傳遞的主要信息是:假設(shè)對某個 PLQY 進行了實驗測量,預(yù)計 ELQY 的值是多少?

 

為了回答這個問題,我們假設(shè) PLQY 是已知的,并且根據(jù)表1中的 PLQY 公式,我們計算出導(dǎo)致該 PLQY 值的非輻射衰減率。隨后,使用找到的速率計算 ELQY。在此分析中,我們假設(shè) kfkisckrisc 是已知的。


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表1

為了計算光學(xué)系統(tǒng)的非輻射衰減率,我們可以簡單地還原表1中的PLQY方程,并將 knrs  表示為 knrt 的函數(shù)方程 (1)。這個方程的解有一定變化,因為 knrs 和 knrt 都是未知的,由于這項工作的目標(biāo)是給出關(guān)于這兩個速率對收益率的影響的想法,我們可以簡單地用一個固定的 knrt 求解這個方程找到相應(yīng)的knrs。這樣,我們將得到許多不同的對(knrsknrt),它們是方程的解。然后使用表1中的公式計算每對的ELQY。

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方程(1)

圖2顯示了考慮四個PLQYs的分析結(jié)果。在x軸上,使用量 knrs/knr=knrs/(knrs+knrt),表示非輻射單重態(tài)衰變的相對強度。顯然,PLQY在x軸上每個點的選定值上保持不變。我們可以觀察到,當(dāng) knrs=0→knrknrt 時,我們的ELQY低,而當(dāng) knrt=0→knr=knrs 時,ELQY大并與PLQY一致。需要注意的是,在高PLQY值的情況下,與ELQY的差異很?。▓D2a),在PLQY=90%的情況下為82-90%。相反,考慮到60%的PLQY,如圖2d所示,我們可以看到計算出的ELQY顯著下降,從60%下降到31%(大約下降50%)。這意味著實驗測量的PLQY為60%的薄膜可能表現(xiàn)出低至31%的ELQY。

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圖2. 對于0.9 (a)、0.8 (b)、0.7 (c)、0.6 (d) 的固定PLQY,計算所有可能的對 knrs–knrt 的ELQY,它們是等式(1) 的解。在此計算中,假設(shè)其他速率已知kf=107 s-1kisc=10 s-1 and kisc=106 s-1)

該參數(shù)變化的結(jié)果說明了非輻射三重態(tài)衰變的重要性,因為它強烈影響電激發(fā)的發(fā)光量子產(chǎn)率。在估計TADF設(shè)備的EQE時必須考慮這種影響,尤其是當(dāng)PLQY與*顯著不同時。

PLQY with oxygen (PLQYO2)

在前面的分析中,我們求解了一個具有兩個未知數(shù)的方程,最終得到了許多 knrsknrt 解。為了繼續(xù)我們的分析并提取所有激子參數(shù),我們需要考慮額外的實驗結(jié)果。

用于表征TADF化合物的一個常見實驗是測量PLQYO2。氧分子的存在具有猝滅三重態(tài)的作用,因此不存在延遲發(fā)射的貢獻,導(dǎo)致PLQYO2 低于PLQY。在這種情況下,可以從表1所示的光學(xué)系統(tǒng)中去除三重態(tài)方程,因此保留單重態(tài)方程。

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方程(2)

和以前一樣,PLQY 可以從穩(wěn)態(tài)解中計算出來。

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方程(3)

在上面的公式中,我們做出了整個三重態(tài)被氧淬滅的近似值。我們必須注意,當(dāng)Host對氧氣的滲透率很高時,這是一個很好的近似值。如果不滿足這個條件,計算的 PLQY 將低估實驗測量的值。在氧氣存在下也可以進行單重態(tài)淬火,但與三重態(tài)淬火相比,其規(guī)模要小得多。因此不考慮這種影響。

TrPL 實驗的建模
到目前為止,我們假設(shè)知道ODE系統(tǒng)中涉及的其他速率,即 k kisc 和 krisc。估計這些數(shù)量的既定方法是執(zhí)行TrPL實驗并執(zhí)行數(shù)學(xué)擬合。

根據(jù)Haase等人的分析,我們定義了方程 (4) 中所示的系統(tǒng)。與他們的工作相比,我們在ODE系統(tǒng)中引入了單重態(tài)和三重態(tài)的非輻射衰變。

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方程(4)

全局?jǐn)M合
我們現(xiàn)在有一組描述三個實驗的三個微分方程組:PLQY(表1-光學(xué)激發(fā)-第3行)、PLQYO2(方程(3))和 TrPL(方程(4))。現(xiàn)在可以使用適當(dāng)?shù)臄M合算法來估計衰減率(kfkisckriscknrs 和 knrt)。

具有多個共同參數(shù)的方程描述的不同實驗時,方法是執(zhí)行全局?jǐn)M合,其中同時擬合三組實驗數(shù)據(jù)。這種方法使提取的參數(shù)更加可靠,因為它們之間的潛在相關(guān)性將降低。

在圖3中,顯示了擬合算法的輸入/輸出的示意圖。

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圖3. 全局?jǐn)M合算法使用參數(shù)化數(shù)學(xué)模型,通過調(diào)整5個激子參數(shù)來最小化實驗(目標(biāo))和擬合的 PLQY、PLQY_O2 和 TrPL 數(shù)據(jù)之間的差異。

值得一提的是,從數(shù)值的角度來看,三個實驗結(jié)果具有不同的形態(tài),TrPL由具有多個數(shù)據(jù)點的曲線組成,而PLQYs每個只有一個數(shù)據(jù)點。顯然,如果每個擬合目標(biāo)具有相同的權(quán)重,優(yōu)化算法將傾向于以犧牲其他兩個為代價來很好地擬合TrPL實驗的解決方案。為了獲得均衡的擬合,有必要在三個實驗中包含不同的誤差權(quán)重,本質(zhì)上,我們應(yīng)該更加重視PLQY值。
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