已知不均勻性是在底部界面和鈣鈦礦體內(nèi)部引入的。在這篇文章中,南京大學(xué)譚海仁、吉林大學(xué)張立軍等人發(fā)現(xiàn)了不均勻性的另一個(gè)關(guān)鍵來(lái)源——電子傳輸層沉積過(guò)程中形成的頂部界面(ETL, C60)。同時(shí),較差的ETL接口也是限制設(shè)備性能的一個(gè)重要因素。研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)引入4-fluorophenethylamine(F-PEA)和4-trifluoromethyl-phenylammonium(CF3-PA)的混合物創(chuàng)建定制的二維鈣鈦礦層(TTDL)來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題,其中F-PEA在表面形成二維鈣鈦礦,減少了接觸損失和不均勻性,CF3-PA增強(qiáng)了電荷的提取和傳輸。
因此,研究團(tuán)隊(duì)在1.77-eV WBG PSCs中實(shí)現(xiàn)了1.35 V的高開(kāi)路電壓和20.5%的效率。通過(guò)與窄帶隙鈣鈦礦子電池堆疊,報(bào)道了1.05 cm2的全鈣鈦礦疊層電池,其效率為28.5%(認(rèn)證為28.2%),是目前所有報(bào)道中最高的。這項(xiàng)工作展示了處理頂部鈣鈦礦/ETL接觸對(duì)于升級(jí)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的重要性。
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